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- 制造厂商：ALD
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
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ALD212900SAL 技术参数详情：
- 制造商产品型号：ALD212900SAL
- 制造商：Advanced Linear Devices Inc.（ALD）
- 描述：MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：EPAD?, Zero Threshold?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）配对
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：10.6V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：80mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 欧姆
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：20mV @ 20μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：30pF @ 5V
- 功率-最大值：500mW
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- ALD212900SAL优势代理货源，国内领先的ALD芯片采购服务平台。
