- 制造厂商:安华高
- 类别封装:红外、紫外和可见光发射器,波长:855nm
- 技术参数:HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG
- 丰富的安华高公司产品,安华高芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
ARE6-8E31-0FH00 技术参数详情:
- 制造商产品型号:ARE6-8E31-0FH00
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG
- 产品系列:红外、紫外和可见光发射器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:ARE6-xxx1-0xx00
- 零件状态:有源
- 类型:红外(IR)
- 电流-DC正向(If)(最大值):1.5A
- 不同If时最小辐射强度(Ie):320mW/sr @ 1A
- 波长:855nm
- 电压-正向(Vf)(典型值):3.05V
- 视角:140°
- 方向:顶视图
- 工作温度:-40°C ~ 120°C
- 安装类型:表面贴装型
- ARE6-8E31-0FH00优势代理货源,国内领先的安华高芯片采购服务平台。