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- 制造厂商：安华高
- 类别封装：红外、紫外和可见光发射器，波长：855nm
- 技术参数：HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG
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ARE6-8EC1-0DF00 技术参数详情：
- 制造商产品型号：ARE6-8EC1-0DF00
- 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
- 描述：HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG
- 产品系列：红外、紫外和可见光发射器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：ARE6-xxx1-0xx00
- 零件状态：有源
- 类型：红外（IR）
- 电流-DC正向(If)（最大值）：1A
- 不同If时最小辐射强度(Ie)：200mW/sr @ 1A
- 波长：855nm
- 电压-正向(Vf)（典型值）：1.7V
- 视角：140°
- 方向：顶视图
- 工作温度：-40°C ~ 120°C
- 安装类型：表面贴装型
- ARE6-8EC1-0DF00优势代理货源，国内领先的安华高芯片采购服务平台。
