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- 制造厂商：Central
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：模具
- 技术参数：POWER TRANSISTOR NPN DIE
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CP307-MPSA27-WN 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CP307-MPSA27-WN
- 制造商：Central Semiconductor Corp
- 描述：POWER TRANSISTOR NPN DIE
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：60V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：1.5V @ 100μA，100mA
- 电流-集电极截止（最大值）：500nA
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：10000 @ 100mA，5V
- 功率-最大值：625mW
- 频率-跃迁：125MHz
- 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：模具
- CP307-MPSA27-WN优势代理货源，国内领先的Central芯片采购服务平台。
