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- 制造厂商：Central
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-TDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
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CTLDM303N-M832DS TR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CTLDM303N-M832DS TR
- 制造商：Central Semiconductor Corp
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.6A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 1.8A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：590pF @ 10V
- 功率-最大值：1.65W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-TDFN
- CTLDM303N-M832DS TR优势代理货源，国内领先的Central芯片采购服务平台。
