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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：SOT-563，SOT-666
- 技术参数：TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
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DDC114EH-7 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DDC114EH-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器-基极(R1)：10 千欧
- 电阻器-发射极(R2)：10 千欧
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
- 电流-集电极截止（最大值）：500nA
- 频率-跃迁：250MHz
- 功率-最大值：150mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-563，SOT-666
- DDC114EH-7优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
