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- 制造厂商:Diodes(美台)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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DGD2103AS8-13 技术参数详情:
- 制造商产品型号:DGD2103AS8-13
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压?-VIL,VIH:0.8V,2.5V
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA
- 输入类型:反相,非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):600V
- 上升/下降时间(典型值):100ns,50ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- DGD2103AS8-13优势代理货源,国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
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