产品参考图片
- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 丰富的Diodes公司产品，Diodes芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
DGD2103AS8-13 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DGD2103AS8-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：10V ~ 20V
- 逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.5V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：290mA，600mA
- 输入类型：反相，非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：600V
- 上升/下降时间（典型值）：100ns，50ns
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- DGD2103AS8-13优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
