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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
- 技术参数：IGBT600V-XITO-220AB
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DGTD65T15H2TF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DGTD65T15H2TF
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：IGBT600V-XITO-220AB
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
- 功率-最大值：48W
- 开关能量：270μJ（开），86μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：61nC
- 25°C时Td（开/关）值：19ns/128ns
- 测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：150ns
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
- DGTD65T15H2TF优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
