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- 制造厂商:Diodes(美台)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
- 技术参数:IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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DGTD65T60S2PT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:DGTD65T60S2PT
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- IGBT类型:场截止
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
- 电流-集电极脉冲(Icm):180A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,60A
- 功率-最大值:428W
- 开关能量:920μJ(开),530μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:95nC
- 25°C时Td(开/关)值:42ns/142ns
- 测试条件:400V,60A,7 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):205ns
- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-247-3
- DGTD65T60S2PT优势代理货源,国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
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