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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD
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DMC1017UPD-13 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMC1017UPD-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道互补型
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），9.4A（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V，32 毫欧 @ 8.9A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18.6nC @ 4.5V，23.7nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1787pF @ 6V，2100pF @ 6V
- 功率-最大值：2.3W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerTDFN
- DMC1017UPD-13优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
