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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
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DMC25D1UVT-13 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMC25D1UVT-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：25V，12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：500mA，3.9A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.9nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：27.6pF @ 10V
- 功率-最大值：1.3W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- DMC25D1UVT-13优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
