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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
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DMC3018LSD-13 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMC3018LSD-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.1A，6A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 6.9A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.4nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：631pF @ 15V
- 功率-最大值：2.5W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- DMC3018LSD-13优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
