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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-563，SOT-666
- 技术参数：MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
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DMC62D0SVQ-7 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMC62D0SVQ-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道互补型
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：60V，50V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：571mA（Ta），304mA（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：30pF @ 25V，26pF @ 25V
- 功率-最大值：510mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-563，SOT-666
- DMC62D0SVQ-7优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
