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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-UDFN
- 技术参数：MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
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DMC67D8UFDBQ-7 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMC67D8UFDBQ-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：有源
- FET类型：N 和 P 沟道互补型
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：60V，20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：390mA（Ta），2.9A（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA，1.25V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.4pC，7.3nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：41pF，443pF @ 25V，16V
- 功率-最大值：580mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-UDFN
- DMC67D8UFDBQ-7优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
