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- 制造厂商:Diodes(美台)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 技术参数:MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
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DMG6602SVTX-7 技术参数详情:
- 制造商产品型号:DMG6602SVTX-7
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:Automotive, AEC-Q101
- 零件状态:有源
- FET类型:N 和 P 沟道互补型
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):3.4A(Ta),2.8A(Ta)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 3.1A,10V,95 毫欧 @ 2.7A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V,9nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):400pF @ 15V,420pF @ 15V
- 功率-最大值:840mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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