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- 制造厂商:Diodes(美台)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
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DMHC4035LSDQ-13 技术参数详情:
- 制造商产品型号:DMHC4035LSDQ-13
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:Automotive, AEC-Q101
- 零件状态:有源
- FET类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):4.5A(Ta),3.7A(Ta)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 3.9A,10V,65 毫欧 @ 4.2A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.9nC @ 4.5V,5.4nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):574pF @ 20V,587pF @ 20V
- 功率-最大值:1.5W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- DMHC4035LSDQ-13优势代理货源,国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
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