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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
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DMHC6070LSD-13 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMHC6070LSD-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.1A，2.4A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 1A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.5nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：731pF @ 20V
- 功率-最大值：1.6W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- DMHC6070LSD-13优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
