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- 制造厂商:Diodes(美台)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SC-59-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
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DMN2020LSN-7 技术参数详情:
- 制造商产品型号:DMN2020LSN-7
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):6.9A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 9.4A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11.6nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1149pF @ 10V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):610mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:SC-59-3
- DMN2020LSN-7优势代理货源,国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
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