产品参考图片
- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：4-XFBGA，WLBGA
- 技术参数：MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
- 丰富的Diodes公司产品，Diodes芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
DMN2023UCB4-7 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMN2023UCB4-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：停产
- FET类型：2 N 沟道（双）共漏
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：24V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：37nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3333pF @ 10V
- 功率-最大值：1.45W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：4-XFBGA，WLBGA
- DMN2023UCB4-7优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
