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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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DMN61D8LVT-13 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMN61D8LVT-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：630mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 欧姆 @ 150mA，5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.74nC @ 5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12.9pF @ 12V
- 功率-最大值：820mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- DMN61D8LVT-13优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
