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Diodes
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  • 制造厂商:Diodes(美台)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
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DMN63D1LDW-13 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:DMN63D1LDW-13
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):250mA
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.3nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):30pF @ 25V
  • 功率-最大值:310mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • DMN63D1LDW-13优势代理货源,国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
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