产品参考图片
- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：X2-DSN1006-3
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
- 丰富的Diodes公司产品，Diodes芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
DMP2088LCP3-7 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMP2088LCP3-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.9A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：88 毫欧 @ 500mA，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.5nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：-12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：160pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.13W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：X2-DSN1006-3
- DMP2088LCP3-7优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
