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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：单端场效应管，PowerDI3333-8
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
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DMS3016SFG-13 技术参数详情：
- Diodes公司完整型号：DMS3016SFG-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11.2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：44.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1886pF @ 15V
- 功率 - 最大值：980mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：PowerDI3333-8
- DMS3016SFG-13优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
