产品参考图片
- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-VDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- 丰富的Diodes公司产品，Diodes芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
DMT3009LDT-7 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMT3009LDT-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 15V
- 功率-最大值：1.2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-VDFN
- DMT3009LDT-7优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
