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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-251
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
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DMT6009LJ3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMT6009LJ3
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：74.5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 13.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±16V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1925pF @ 30V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.9W（Ta），83.3W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-251
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