
- 制造厂商:Diodes(美台)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerTDFN
- 技术参数:MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
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DMTH4007SPD-13 技术参数详情:
- 制造商产品型号:DMTH4007SPD-13
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):14.2A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.6 毫欧 @ 17A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):41.9nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2026pF @ 30V
- 功率-最大值:2.6W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-PowerTDFN
- DMTH4007SPD-13优势代理货源,国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
