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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
- 技术参数：MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8
- 丰富的Diodes公司产品，Diodes芯片采购平台
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DMTH4011SPDQ-13 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMTH4011SPDQ-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11.1A（Ta），42A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.6nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：805pF @ 20V
- 功率-最大值：2.6W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerTDFN
- DMTH4011SPDQ-13优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
