- 制造厂商:Diodes(美台)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-SO
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
- 丰富的Diodes公司产品,Diodes芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
ZXM66P03N8TA 技术参数详情:
- 制造商产品型号:ZXM66P03N8TA
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):6.25A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 5.6A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):36nC @ 5V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1979pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):1.56W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-SO
- ZXM66P03N8TA优势代理货源,国内领先的Diodes芯片采购服务平台。