- 制造厂商:Diodes(美台)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SOT-223-8
- 技术参数:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
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ZXMHC10A07T8TA 技术参数详情:
- 制造商产品型号:ZXMHC10A07T8TA
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1A,800mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):700 毫欧 @ 1.5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.9nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):138pF @ 60V
- 功率-最大值:1.3W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-223-8
- ZXMHC10A07T8TA优势代理货源,国内领先的Diodes芯片采购服务平台。