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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-223-8
- 技术参数：MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
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ZXMHN6A07T8TA 技术参数详情：
- 制造商产品型号：ZXMHN6A07T8TA
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.4A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 1.8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.2nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：166pF @ 40V
- 功率-最大值：1.6W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-223-8
- ZXMHN6A07T8TA优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
