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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管阵列，8-MLP
- 技术参数：TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
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ZXTDC3M832TA 技术参数详情：
- Diodes公司完整型号：ZXTDC3M832TA
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A，3A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，40V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：320mV @ 200mA，4A / 370mV @ 250mA，2.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：25nA
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 2A，2V / 60 @ 1.5A，2V
- 功率 - 最大值：1W
- 频率 - 跃迁：165MHz，190MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：8-MLP（3x2）
- ZXTDC3M832TA优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
