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- 制造厂商：Diodes（美台）
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：8-VDFN
- 技术参数：TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
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ZXTDE4M832TA 技术参数详情：
- 制造商产品型号：ZXTDE4M832TA
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：3.5A，2.5A
- 电压-集射极击穿（最大值）：80V，70V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：325mV @ 300mA，3.5A / 260mV @ 200mA，1.5A
- 电流-集电极截止（最大值）：25nA
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V
- 功率-最大值：1W
- 频率-跃迁：160MHz，180MHz
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-VDFN
- ZXTDE4M832TA优势代理货源，国内领先的Diodes芯片采购服务平台。
