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- 制造厂商:仙童
- 类别封装:单端场效应管,TO-251
- 技术参数:MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
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FCD850N80Z 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FCD850N80Z
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
- 系列:SuperFET II
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):800V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):850 毫欧 @ 3A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 600μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1315pF @ 100V
- 功率 - 最大值:75W
- 安装类型:通孔
- 产品封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:TO-251
- FCD850N80Z优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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