FCI25N60N 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FCI25N60N
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
- 系列:SupreMOS?
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):25A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):125 毫欧 @ 12.5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):74nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3352pF @ 100V
- 功率 - 最大值:216W
- 安装类型:通孔
- 产品封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:I2PAK
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