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- 制造厂商:仙童
- 类别封装:单端场效应管,Power88
- 技术参数:MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
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FCMT299N60 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FCMT299N60
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
- 系列:SuperFET II
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):299 毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):51nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1948pF @ 380V
- 功率 - 最大值:125W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:4-PowerTSFN
- 供应商器件封装:Power88
- FCMT299N60优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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