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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：场效应管模块，EPM15
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
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FD6M043N08 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FD6M043N08
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
- 系列：Power-SPM?
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：75V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：65A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.3 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：148nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6180pF @ 25V
- 功率 - 最大值：-
- 安装类型：通孔
- 产品封装：EPM15
- 供应商器件封装：EPM15
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