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- 制造厂商:仙童
- 类别封装:单端场效应管,6-SSOT
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT
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FDC5612_F095 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDC5612_F095
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT
- 系列:PowerTrench
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.3A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):55 毫欧 @ 4.3A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):650pF @ 25V
- 功率 - 最大值:800mW
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商器件封装:6-SSOT
- FDC5612_F095优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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