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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：场效应管阵列，6-SSOT
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
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FDC6322C 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDC6322C
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
- 系列：-
- FET 类型：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：220mA，460mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9.5pF @ 10V
- 功率 - 最大值：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：6-SSOT
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