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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：单端场效应管，D-Pak
- 技术参数：MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
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FDD2612 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDD2612
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.9A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：720 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：234pF @ 100V
- 功率 - 最大值：1.6W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装：D-Pak
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