FDD306P 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDD306P
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
- 系列:PowerTrench
- FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss):12V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.7A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 6.7A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1290pF @ 6V
- 功率 - 最大值:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:TO-252-3
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