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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：单端场效应管，6-MicroFET
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
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FDFMA2P853T 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDFMA2P853T
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：二极管（隔离式）
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：435pF @ 10V
- 功率 - 最大值：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：6-WDFN
- 供应商器件封装：6-MicroFET（2x2）
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