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Fairchild
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FDFMA3P029Z 图片
  • 制造厂商:仙童
  • 类别封装:单端场效应管,MicroFET
  • 技术参数:MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
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FDFMA3P029Z 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FDFMA3P029Z
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):87 毫欧 @ 3.3A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):435pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:700mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:6-WDFN
  • 供应商器件封装:MicroFET 2x2
  • FDFMA3P029Z优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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