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Fairchild
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FDM3300NZ 图片
  • 制造厂商:仙童
  • 类别封装:场效应管阵列,Power33
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET
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FDM3300NZ 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FDM3300NZ
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 10A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1610pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:900mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:8-MLP,Power33
  • 供应商器件封装:Power33
  • FDM3300NZ优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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