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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：场效应管阵列，Power33
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
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FDMC8200S_F106 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDMC8200S_F106
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A，8.5A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：660pF @ 15V
- 功率 - 最大值：700mW， 1W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：Power33
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