- 制造厂商:仙童
- 类别封装:单端场效应管,8-PQFN
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
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FDMS015N04B 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDMS015N04B
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
- 系列:PowerTrench
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):31.3A(Ta),100A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 50A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):118nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8725pF @ 20V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:8-PQFN(5x6), Power56
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