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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：场效应管阵列，8-PQFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
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FDMS3626S 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDMS3626S
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17.5A，25A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 17.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1570pF @ 13V
- 功率 - 最大值：1W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-PQFN（5x6）， Power56
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