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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：单端场效应管，SuperSOT-3
- 技术参数：MOSFET P-CH 12V 2.6A
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FDN306P_F095 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDN306P_F095
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 2.6A
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss)：12V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1138pF @ 6V
- 功率 - 最大值：460mW
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SuperSOT-3
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