FDN8601 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDN8601
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
- 系列:PowerTrench
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.7A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):109 毫欧 @ 1.5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):210pF @ 50V
- 功率 - 最大值:600mW
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:3-SSOT
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