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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：单端场效应管，TO-220AB
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
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FDP3652 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDP3652
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta），61A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 61A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：53nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2880pF @ 25V
- 功率 - 最大值：150W
- 安装类型：通孔
- 产品封装：TO-220-3
- 供应商器件封装：TO-220AB
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