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Fairchild
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  • 制造厂商:仙童
  • 类别封装:场效应管阵列,8-SO
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 80V 4.7A SO-8
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FDS3890 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FDS3890
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 80V 4.7A SO-8
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.7A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):44 毫欧 @ 4.7A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1180pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:900mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • FDS3890优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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